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SinglFuse™SMD熔断器

SinglFuse™薄膜芯片熔断器
系列 sf - 1206 sp
数据表 sf - 1206 sp
照片 sf1206sp_part
足迹 1206
技术 薄膜溅射
融合类型 时间间隔
融合时间 200% Ir在1 - 120秒。
额定电流 500 mA - 7.0 A
额定电压 32—63 VDC
工作温度(°C) - 20 - +105
代理证书 UL
MDS MDS
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