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绝缘栅双极晶体管(igbt)

prodline igbt

Bourns®IGBT离散BID系列结合了MOS门和双极晶体管的技术,为高电压和大电流应用创造了合适的组件。必威app手机下载该器件采用先进的沟槽栅场停技术,提供了更好的动态特性控制,同时导致较低的集电极-发射极饱和电压(VCE(坐))和更少的开关损耗。此外,这种结构增加了器件的鲁棒性,并给出了较低的RTH.Bourns®IGBT解决方案适用于SMPS, UPS和PFC应用。必威app手机下载

系列 数据表 照片 功能 VCE[V] C
@ t =100˚c
(一)
Typ。VCE(坐)
@ Ic, Vge= 15v
[V]
F
@ t =100˚c
(一)
工作结温度 MDS 设计文件 工学 立即购买
BIDD05N60T BIDD05N60T
- - - - - - 252 中速 600 5 1.5 N/A -55℃至+150℃ BIDD05N60T
購入
BIDW20N60T BIDW20N60T
- - - - - - 247 中速 600 20. 1.7 20. -55℃至+150℃ BIDW20N60T
購入
BIDW30N60T BIDW30N60T
- - - - - - 247 中速 600 30. 1.65 30. -55℃至+150℃ BIDW30N60T
購入
BIDW50N65T BIDW50N65T
- - - - - - 247 中速 650 50 1.65 50 -55℃至+150℃ BIDW50N65T
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BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3
- 247 n 高速 600 30. 1.65 12 -55℃至+150℃ BIDNW30N60H3
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