絕緣柵雙極晶體管(igbt)

柏恩斯®投标離散式IGBT系列結合了MOS柵極和雙極晶體管的技術,為高壓和大電流應用創造了合適的元件。柏恩斯® BID IGBT 系列採用先進的溝槽柵極場截止技術，提供更好的動態特性控制，同時降低集極-射極飽和電壓 (V_CE(坐)) 和開關損耗。此外，這種結構增加了器件的穩健性並提供更低的熱阻r_TH,使其成為開關模式電源(smp),不間斷電源(UPS),感應加熱和功率因數校正(PFC)應用的理想解決方案。